[发明专利]一种圆片级芯片扇出三维堆叠封装结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202011083240.4 申请日: 2020-10-12
公开(公告)号: CN112038329A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 郭洪岩;胡正勋;赵强;夏剑;张朝云 申请(专利权)人: 长电集成电路(绍兴)有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/00;H01L23/31;H01L23/498
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 赵华
地址: 312000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种圆片级芯片扇出三维堆叠封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括下部封装体、再布线层(150)和上部封装体,所述上部封装体堆叠设置在下部封装体的上方,并通过再布线层(150)实现电信连接;芯片Ⅰ(110)周围设置有用于上下封装体互联的金属核心焊球(120),实现了上部封装体与下部封装体的电信连接。该封装结构采用圆片级工艺的高密度再布线扇出层(102)取代传统封装基板,并采用下部封装体上的再布线层取代转接板,可有效降低封装体厚度。
搜索关键词: 一种 圆片级 芯片 三维 堆叠 封装 结构 及其 制作方法
【主权项】:
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