[发明专利]垂直场效应晶体管器件和半导体单元结构在审
| 申请号： | 202011078081.9 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112652662A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 都桢湖;全辉璨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种垂直场效应晶体管(VFET)器件和半导体单元结构，该VFET器件包括：鳍结构，从衬底突出并在平面图中具有H形；栅极，包括形成在鳍结构的侧壁上的鳍侧壁部分以及从鳍侧壁部分延伸并填充鳍结构的下半部内部的空间的场栅极部分；栅极接触，在鳍结构的下半部内部的位置落着在场栅极部分上；底部外延层，包括底部源极/漏极(S/D)区域并形成在鳍结构下面；电源接触，落着在底部外延层上并配置为接收电源信号；形成在鳍结构之上的顶部S/D区域；以及落着在顶部S/D区域上的顶部S/D接触。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 场效应 晶体管 器件 半导体 单元 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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