[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011066070.9 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114334974A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 任伦;金兴成 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，包括：基底，基底上形成有选择开关晶体管；第一介质层，位于基底上，且覆盖选择开关晶体管；鳍式堆叠电容，位于第一介质层的上表面，且部分嵌入第一介质层内；鳍式堆叠电容与选择开关晶体管的漏极电连接；第二介质层，位于第一介质层的上表面，且覆盖鳍式堆叠电容；第一金属层，位于第二介质层的上表面；第一金属层至少包括板线，板线与鳍式堆叠电容电连接；第三介质层，位于第二介质层的上表面，且覆盖第一金属层；第二金属层，位于第三介质层的上表面，第二金属层包括位线，位线与选择开关晶体管的源极电连接。能够在半导体器件缩小的情况下解决电容面积不足的问题，电容容量有较可观的增加，提升单元存储性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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