[发明专利]一种PIN抗静电结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011064899.5 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112216692B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李云燕;林科闯;何先良;魏鸿基 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 王雪 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种PIN抗静电结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该PIN抗静电结构包括N型半导体层、形成于所述N型半导体层一侧且呈间隔设置的两个PIN结构，以及形成于所述PIN结构上且与所述PIN结构欧姆接触的第一金属层，其中，两个所述PIN结构之间具有第二金属层，所述第二金属层与所述N型半导体层欧姆接触，且所述第二金属层分别与两个所述PIN结构之间具有间隙。该PIN抗静电结构能够有效提升半导体芯片的抗静电能力，以提高半导体芯片的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pin 抗静电 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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