[发明专利]一种窄线宽半导体外腔激光器及其制作方法在审
| 申请号： | 202011064014.1 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112186502A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 汤学胜;程媛;黄丽艳;胡强高 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/14 | 分类号： | H01S5/14;H01S5/00 |
| 代理公司： | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341 | 代理人： | 何婷 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种窄线宽半导体外腔激光器及其制作方法，激光器包括半导体集成芯片和带有耦合结构的光纤光栅，半导体集成芯片上设有取样光栅区；取样光栅区和光纤光栅为激光器中的模式选择滤波器，取样光栅区具有周期性梳状反射光谱，光纤光栅具有单峰反射光谱，模式选择滤波器合成光谱由取样光栅区反射光谱中一个反射峰的上升沿与光纤光栅单峰反射光谱的下降沿通过游标效应形成，或者由光纤光栅单峰反射光谱的上升沿与取样光栅区反射光谱中一个反射峰的下降沿通过游标效应形成。通过采用取样光栅和光纤光栅组合滤波，更容易实现窄带宽的模式选择滤波器，对布拉格光纤光栅带宽要求更低，制作简单、成本低，稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 窄线宽 半导体 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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