[发明专利]绝缘体上半导体（SOI）衬底及其形成方法、集成电路在审
| 申请号： | 202011055346.3 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112582429A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 吴政达;谢佳达;巫国维;张煜群;曾映绫 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/26;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请的各个实施例针对一种用于形成具有厚器件层和厚绝缘体层的绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法。在一些实施例中，该方法包括形成覆盖处理衬底的绝缘体层，以及在牺牲衬底上外延形成器件层。将牺牲衬底接合到处理衬底，使得器件层和绝缘体层位于牺牲衬底和处理衬底之间，并且去除牺牲衬底。去除包括对牺牲衬底执行蚀刻，直到到达器件层。因为器件层是通过外延形成的并且转移到处理衬底，所以器件层可以形成为具有较大的厚度。此外，因为外延不受绝缘体层的厚度的影响，所以绝缘体层可以形成为具有较大的厚度。本发明的实施例还涉及绝缘体上半导体(SOI)衬底及其形成方法、集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上半 导体 soi 衬底 及其 形成 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
