[发明专利]一种基于CVD的复合导电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202011036685.7 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112201410A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 谭化兵;潘智军;李磊 | 申请（专利权）人： | 安徽宇航派蒙健康科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 11686 | 代理人： | 康颖 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市蜀山区源*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于CVD的复合导电薄膜制备方法，包括：步骤S100、准备一定厚度的薄膜作为基材，在基材表面涂布银纳米线墨水，制备银纳米线膜层；步骤S200、对银纳米线膜层进行烘烤，获得银纳米线透明导电薄膜；步骤S300、对银纳米线透明导电薄膜进行焊接，形成具有局部熔接节点的银纳米线导电网络；步骤S400、采用CVD方法在银纳米线导电网络表面沉积制备氧化物导电层；步骤S500、在氧化物导电层表面设置高分子保护层，烘烤处理，获得复合导电薄膜。本发明提出了基于化学气相沉积(CVD)法制备透明导电阻隔材料，使其包覆于银纳米线表面，从而可以有效阻隔水汽、氧气进入银纳米线表面，减少器件工作中银纳米线材料在电场作用下的氧化失效问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cvd 复合 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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