[发明专利]一种基于CVD的复合导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种基于CVD的复合导电薄膜制备方法，其特征在于，包括：

步骤S100、准备一定厚度的薄膜作为基材，在所述基材表面涂布银纳米线墨水，制备银纳米线膜层；

步骤S200、对所述银纳米线膜层进行烘烤，获得银纳米线透明导电薄膜；

步骤S300、对所述银纳米线透明导电薄膜进行焊接，形成具有局部熔接节点的银纳米线导电网络；

步骤S400、采用CVD方法在所述银纳米线导电网络表面沉积制备氧化物导电层；

步骤S500、在所述氧化物导电层表面设置高分子保护层，烘烤处理，获得复合导电薄膜。

2.根据权利要求1所述基于CVD的复合导电薄膜制备方法，其特征在于，

所述步骤S100中所述基材厚度范围为0.01-10毫米，所述基材材质包括：玻璃、塑料。

3.根据权利要求2所述基于CVD的复合导电薄膜制备方法，其特征在于，

所述步骤S100中所述银纳米线墨水的银固含量范围为0.05-5wt％。

4.根据权利要求3所述基于CVD的复合导电薄膜制备方法，其特征在于，

所述步骤S100中涂布包括：狭缝式涂布、喷涂。

5.根据权利要求1～4任一项所述的基于CVD的复合导电薄膜制备方法，其特征在于，

所述步骤S200中的烘干温度范围为120-180℃，烘干时间范围为15-60分钟，优选150℃，40分钟。

6.根据权利要求1～5任一项所述的基于CVD的复合导电薄膜制备方法，其特征在于，

所述步骤S300中焊接包括：激光辐照焊接、超声波焊接。

7.根据权利要求1～6任一项所述的基于CVD的复合导电薄膜制备方法，其特征在于，

所述步骤S400中所述CVD法采用的氧化物材料包括ITO、FTO、AZO、ZnO，优选FTO。

8.根据权利要求1～7任一项所述的基于CVD的复合导电薄膜制备方法，其特征在于，

所述步骤S500中所述高分子保护层为采用热固化工艺形成的丙烯酸硬化涂层。

9.根据权利要求8所述的基于CVD的复合导电薄膜制备方法，其特征在于，

所述热固化工艺过程中固化温度范围为130-170℃，固化时间范围为30-60分钟，固化后所述高分子保护层厚度范围为0.5-5微米，涂层硬度范围为1-3H。

10.根据权利要求1～9任一项制备的复合导电薄膜，其特征在于，包括：

所述基材、所述银纳米线膜层、所述氧化物导电层、所述高分子保护层；

所述氧化物导电层厚度范围为2-10nm，优选3nm。