[发明专利]一种基于CVD的复合导电薄膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种基于CVD的复合导电薄膜制备方法，包括：步骤S100、准备一定厚度的薄膜作为基材，在基材表面涂布银纳米线墨水，制备银纳米线膜层；步骤S200、对银纳米线膜层进行烘烤，获得银纳米线透明导电薄膜；步骤S300、对银纳米线透明导电薄膜进行焊接，形成具有局部熔接节点的银纳米线导电网络；步骤S400、采用CVD方法在银纳米线导电网络表面沉积制备氧化物导电层；步骤S500、在氧化物导电层表面设置高分子保护层，烘烤处理，获得复合导电薄膜。本发明提出了基于化学气相沉积(CVD)法制备透明导电阻隔材料，使其包覆于银纳米线表面，从而可以有效阻隔水汽、氧气进入银纳米线表面，减少器件工作中银纳米线材料在电场作用下的氧化失效问题。

技术领域

本发明涉及导电薄膜制备技术领域，尤其涉及一种基于CVD的的导电薄 膜及其制备方法。

背景技术

近年来，随着显示面板、触控面板技术的发展，透明导电薄膜材料发展 迅速，特别是为了满足大尺寸显示触控系统的需求，低方阻透明导电薄膜， 如银纳米线(SNW)透明导电膜、金属网格(Metal mesh)透明导电膜等越来 越受到重视，且发展迅速。特别是银纳米线透明导电薄膜，由于其制程基于 涂布技术，非常适合于工业化生产，在大尺寸触控面板用透明导电薄膜中占 据主要份额。

在基于银纳米线透明导电薄膜的触控或电热产品工作过程中，存在一个 重要隐患，即在电场作用下，银纳米线会出现表面氧化问题，从而导致透明 导电薄膜方阻上升，表面粉化、可靠性下降，甚至直接导致器件失效，这是 影响银纳米线透明导电膜推广应用的最主要问题。因此，必须在导电薄膜制 备阶段就引入相应的抑制银纳米线表面氧化的措施，从而在器件工作中最大 限度减少相关隐患。

针对银纳米线导电膜存在的易氧化的可靠性缺陷，目前也存在一些解决 办法，如采用真空磁控溅射法整体沉积一层较厚(通常10nm)的无机透明导 电膜(如ITO、FTO、AZO等)，将纳米银线覆盖于这些保护层之下，然而，这 些处理方案，可能带来几个问题：1、保护层太厚，导致导电膜经过刻蚀后(通 常为激光刻蚀)产生刻蚀纹路；2、由于引入了无机结构材料，银纳米线透明 导电膜的柔韧性变差，特别是在超柔性(如折叠)器件中应用时，将严重受 限。

背景技术部分的内容仅仅是发明人所知晓的技术，并不当然代表本领域 的现有技术。

发明内容

针对现有技术存在问题中的一个或多个，本发明基于大面积、柔性银纳 米线透明导电膜及其在电热领域应用的市场需求，以及对现有纳米银线透明 导电薄膜在高电场下可靠性缺陷的分析，本发明提出了一种基于CVD的复合 导电薄膜制备方法，包括：

步骤S100、准备一定厚度的薄膜作为基材，在所述基材表面涂布银纳米 线墨水，制备银纳米线膜层；

步骤S200、对所述银纳米线膜层进行烘烤，获得银纳米线透明导电薄膜；

步骤S300、对所述银纳米线透明导电薄膜进行焊接，形成具有局部熔接 节点的银纳米线导电网络；

步骤S400、采用CVD方法在所述银纳米线导电网络表面沉积制备氧化物 导电层；

步骤S500、在所述氧化物导电层表面设置高分子保护层，烘烤处理，获 得复合导电薄膜。

根据本发明的一个方面的优选方案，所述步骤S100中所述基材厚度范围 为0.01-10毫米，所述基材材质包括：玻璃、塑料。

根据本发明的一个方面的优选方案，所述步骤S100中所述银纳米线墨水 的银固含量范围为0.05-5wt％。

根据本发明的一个方面的优选方案，所述步骤S100中涂布包括：狭缝式 涂布、喷涂。

根据本发明的一个方面的优选方案，所述步骤S200中的烘干温度范围为 120-180℃，烘干时间范围为15-60分钟，优选150℃，40分钟。