[发明专利]阻变存储器的钨薄膜制备方法在审
| 申请号： | 202011033772.7 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112201748A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;仇圣棻;杨芸;李晓波;杨瑞鹏;曹恒 | 申请（专利权）人： | 昕原半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 张娓娓;袁文婷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变存储器的钨薄膜制备方法，包括：采用物理气相沉积在底电极上沉积钨薄膜；采用物理气相沉积在所述钨薄膜上沉积掺杂有N元素的WNx薄膜；通过CMP机台对所述WNx薄膜进行研磨，其中，当所述WNx薄膜被磨光时，所述CMP机台停止研磨。利用本发明，能够解决现有制备阻变存储器的钨薄膜过程中，不能同时满足钨薄膜厚度、钨薄膜表面粗糙度问题。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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