[发明专利]阻变存储器的钨薄膜制备方法在审
| 申请号： | 202011033772.7 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112201748A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;仇圣棻;杨芸;李晓波;杨瑞鹏;曹恒 | 申请（专利权）人： | 昕原半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 张娓娓;袁文婷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种阻变存储器的钨薄膜制备方法，其特征在于，包括：
采用物理气相沉积在底电极上沉积钨薄膜；
采用物理气相沉积在所述钨薄膜上沉积掺杂有N元素的WNx薄膜；
通过CMP机台对所述WNx薄膜进行研磨，其中，当所述WNx薄膜被磨光时，所述CMP机台停止研磨。
2.如权利要求1所述的阻变存储器的钨薄膜制备方法，其特征在于，
所述采用物理气相沉积在所述钨薄膜上沉积掺杂有N元素的WNx薄膜，包括如下步骤：
在功率为100～5000w的直流电浆下，将N2电离为原子态或者带电离子；
电离为原子态或者带电离子的N2与钨原子反应形成离子键，沉积在所述钨薄膜上。
3.如权利要求1所述的阻变存储器的钨薄膜制备方法，其特征在于，
所述WNx薄膜的厚度大于其中，x为0～1。
4.如权利要求1所述的阻变存储器的钨薄膜制备方法，其特征在于，
在通过CMP机台对所述WNx薄膜进行研磨之前，还包括如下步骤：
采用物理气相沉积在所述WNx薄膜上沉积牺牲层；
通过所述CMP机台对所述牺牲层进行研磨。
5.如权利要求4所述的阻变存储器的钨薄膜制备方法，其特征在于，
当所述CMP机台磨光所述牺牲层后，
根据所述CMP机台的抛光头转动马达的电流，检测研磨所述WNx薄膜信号；
所述CMP机台根据检测到的研磨所述WNx薄膜的信号，调整研磨速度对所述WNx薄膜进行研磨。
6.如权利要求5所述的阻变存储器的钨薄膜制备方法，其特征在于，
在对所述WNx薄膜进行研磨的过程中，
根据所述CMP机台的抛光头转动马达的电流，检测所述WNx薄膜被磨光的信号；
如果检测到所述WNx薄膜被磨光的信号，所述CMP机台停止研磨。
7.如权利要求4所述的阻变存储器的钨薄膜制备方法，其特征在于，
所述WNx薄膜的厚度为
8.如权利要求4所述的阻变存储器的钨薄膜制备方法，其特征在于，
所述牺牲层的厚度为
9.如权利要求1-8任一项所述的阻变存储器的钨薄膜制备方法，其特征在于，
所述钨薄膜的厚度小于
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