[发明专利]高可靠性超结功率半导体结构及制造方法在审
| 申请号： | 202011032459.1 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112086504A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;李宗清 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高可靠性超结功率半导体结构及制造方法，它包括漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型第一外延层、第二导电类型柱、第一导电类型柱、第二导电类型体区、第一导电类型第二外延层、第一导电类型源区、栅氧层、栅极多晶硅、绝缘介质层、场氧层、栅极总线多晶硅、第二导电类型阱区与源极金属。本发明结构的第一导电类型第二外延层内不存在填充的缺陷，器件表面的电场不会受到明显的影响，降低器件的漏电，提升了器件的可靠性；本发明的制造工艺与现有工艺兼容降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠性 功率 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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