[发明专利]谐振器制造方法在审

专利信息
申请号: 202011028944.1 申请日: 2020-09-27
公开(公告)号: CN112087209A 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 唐兆云;唐滨;王家友;赖志国;杨清华 申请(专利权)人: 苏州汉天下电子有限公司
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02
代理公司: 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 代理人: 陈红;陈轶兰
地址: 215000 江苏省苏州市苏州工业园区金*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种谐振器制造方法,包括:在衬底上形成牺牲层图形;在牺牲层图形上形成下电极;在下电极上形成第二牺牲层图形;在第二牺牲层图形和下电极上形成压电层和上电极;刻蚀上电极、压电层、第二牺牲层图形、下电极形成暴露衬底的通孔;在通孔中形成第三牺牲层图形;去除牺牲层图形、第二牺牲层图形、第三牺牲层图形,留下多个气隙。依照本发明的谐振器制造方法,利用图形化的多个牺牲层同时形成谐振腔和多个气隙以完全包围谐振腔,最大化抑制了声波能量损失,有效提高了Q值。
搜索关键词: 谐振器 制造 方法
【主权项】:
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