[发明专利]谐振器制造方法

权利要求书

1.一种谐振器制造方法，包括：

在衬底上形成牺牲层图形；

在牺牲层图形上形成下电极；

在下电极上形成第二牺牲层图形；

在第二牺牲层图形和下电极上形成压电层和上电极；

刻蚀上电极、压电层、第二牺牲层图形、下电极形成暴露衬底的通孔；

在通孔中形成第三牺牲层图形；

去除牺牲层图形、第二牺牲层图形、第三牺牲层图形，留下多个气隙。

2.根据权利要求1的谐振器制造方法，形成牺牲层图形的步骤包括：

在衬底上形成牺牲层；

在牺牲层上形成光刻胶图形；

修饰光刻胶图形以缩减尺寸；

以光刻胶图形为掩模刻蚀形成牺牲层图形。

3.根据权利要求1的谐振器制造方法，其中，牺牲层图形包括中心部分，在中心部分外侧的环形突起部分，以及在环形突起部分外侧的环形边缘部分；优选地，环形突起部分的厚度大于中心部分的厚度，中心部分的厚度大于环形边缘部分的厚度，任选地下电极的厚度大于环形边缘部分的厚度且小于环形突起部分的厚度。

4.根据权利要求1的谐振器制造方法，形成第二牺牲层图形的步骤进一步包括：

在下电极上形成第二牺牲层；

平坦化第二牺牲层直至暴露下电极的中心部分。

5.根据权利要求1的谐振器制造方法，形成第三牺牲层图形的步骤进一步包括：

在通孔和上电极上形成牺牲材料；

平坦化牺牲材料直至暴露上电极顶部。

6.根据权利要求1的谐振器制造方法，去除牺牲层图形、第二牺牲层图形、第三牺牲层图形的步骤进一步包括：

在上电极上形成第二上电极；

在第二上电极上形成介质层；

刻蚀介质层、第二上电极、上电极直至暴露压电层，留下第一气隙；

采用各向同性湿法腐蚀去除牺牲层图形、第二牺牲层图形、第三牺牲层图形，留下第二气隙和第三气隙。

7.根据权利要求6的谐振器制造方法，其中，第一气隙在牺牲层图形的边缘上方，任选地第二气隙在下电极和衬底之间，任选地第三气隙具有在压电层和下电极之间的第一部分、在第一部分外在压电层和下电极侧面垂直延伸的第二部分、以及在第二部分外在压电层和下电极之间水平延伸的第三部分。

8.根据权利要求1的谐振器制造方法，形成下电极之前进一步包括在衬底上形成种子层。

9.根据权利要求1的谐振器制造方法，形成暴露衬底的通孔的步骤进一步包括：

在上电极上形成硬掩模图形；

以硬掩模图形为掩模依次刻蚀上电极、压电层、第二牺牲层图形、下电极直至暴露衬底。

10.根据权利要求1的谐振器制造方法，其中，牺牲层图形、第二牺牲层图形或第三牺牲层图形的材质为氧化物，优选地为LPCVD、APCVD、PECVD等低温工艺(沉积温度低于700摄氏度，优选300至600摄氏度)或热氧化工艺制造的氧化硅基材料，诸如掺硼氧化硅(BSG)、掺磷氧化硅(PSG)、未掺杂氧化硅(USG)、多孔氧化硅；任选地，牺牲层图形为对绝缘体上半导体衬底刻蚀去除顶部半导体层之后剩余的埋氧层。