[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011028700.3 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112768515A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 高桥正树 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L23/49;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;杨敏 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置，其抑制半导体芯片的接合导线的表面电极的温度上升。半导体装置(10)包括在正面具备电极区(32a、32b)的半导体芯片(30)、和分别接合于电极区(32a、32b)的多根导线(50)。此时，电极区(32a、32b)的分别与多根导线(50)接合的多个被接合区域(36)配置为俯视时在与半导体芯片(30)的一边平行的X方向上和在与X方向正交的Y方向上各不重复。由此，导线(50)分散地接合于半导体芯片(30)的电极区(32a、32b)，从而在电极区(32a、32b)中温度几乎均匀地分布于整体，温度高的区域的不均分布受到抑制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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