[发明专利]晶圆及其下片方法在审
| 申请号： | 202011027312.3 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN114256088A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 艾佳瑞;丁新琪;廖桂波;王菊;焦旺;吴阳烽;郑兆祯;涂庆明 | 申请（专利权）人： | 深圳市中光工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶圆及其下片方法，下片方法包括：提供一初始晶圆件，所述初始晶圆件包括治具及设置于治具上的第一厚度晶圆，治具和第一厚度晶圆之间设置有连接层；将胶带贴合于所述第一厚度晶圆和所述治具上；以第一预设温度进行加热或添加第一试剂，以使得连接层融化；将下料片从第一厚度晶圆的边缘嵌入到第一厚度晶圆和治具之间；以第二预设温度进行加热或添加第二试剂，使得胶带解胶后后移除胶带，以使得下料片可带动第一厚度晶圆从治具完成下片。通过上述方式，可以降低下片对第一厚度晶圆造成的损害，以提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 下片 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
