[发明专利]晶圆及其下片方法

说明书

本发明公开一种晶圆及其下片方法，下片方法包括：提供一初始晶圆件，所述初始晶圆件包括治具及设置于治具上的第一厚度晶圆，治具和第一厚度晶圆之间设置有连接层；将胶带贴合于所述第一厚度晶圆和所述治具上；以第一预设温度进行加热或添加第一试剂，以使得连接层融化；将下料片从第一厚度晶圆的边缘嵌入到第一厚度晶圆和治具之间；以第二预设温度进行加热或添加第二试剂，使得胶带解胶后后移除胶带，以使得下料片可带动第一厚度晶圆从治具完成下片。通过上述方式，可以降低下片对第一厚度晶圆造成的损害，以提高良品率。

技术领域

本发明涉及晶圆制造领域，特别涉及一种晶圆及其下片方法。

背景技术

随着技术工艺的不断发展，LD芯片不断向高密度、高性能、小型化和轻薄化发展。一方面而言，晶圆的薄片化可以有效的降低器件的导通电阻和压降，从而大幅度导通损耗，并提升散热方面的性能，防止LD芯片有源区过高的温升对其光输出特性和寿命产生影响；另一方面，为满足LD芯片工艺制程中划片、裂片等后继工艺的要求，同样需要将晶圆的厚度减薄至一定程度；再一方面，晶圆的薄片化有利于减少器件封装的空间，从而实现整个封装模块的小型化和轻薄化。

但是在晶圆的薄片化工艺制程中，现有技术一般直接采用外力从托盘上对晶圆进行下片，由于晶圆的厚度太薄，使得晶圆非常容易碎裂，从而降低成品率。

发明内容

本发明提供一种晶圆及其下片方法，以解决现有技术中晶圆在下片过程中容易断裂的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种晶圆的下片方法，所述下片方法包括：一初始晶圆件，所述初始晶圆件包括治具及设置于所述治具上的第一厚度晶圆，所述治具和所述第一厚度晶圆之间设置有连接层；将胶带贴合于所述第一厚度晶圆和所述治具上；以第一预设温度进行加热或添加第一试剂，以使得所述连接层融化；将下料片从所述第一厚度晶圆的边缘嵌入到所述第一厚度晶圆和所述治具之间；以第二预设温度进行加热或添加第二试剂，使得所述胶带解胶后后移除所述胶带，以使得所述下料片可带动所述第一厚度晶圆从所述治具完成下片。

根据本发明提供的一实施方式，所述第一厚度晶圆包括以中线分割成第一区域和第二区域；所述将胶带贴合于所述第一厚度晶圆和所述治具上，包括：将所述胶带贴合于所述第一区域和所述治具上；所述将下料片从所述第一厚度晶圆所翘曲的边缘嵌入到所述第一厚度晶圆和所述治具之间，包括：将所述下料片从所述第二区域所翘曲的边缘嵌入到所述第一厚度晶圆和所述治具之间。

根据本发明提供的一实施方式，所述胶带的两端均位于所述治具上，且所述胶带的长度方向与所述中线平行。

根据本发明提供的一实施方式，所述胶带为两条，且两条所述胶带位于与所述中线平行的同一直线上。

根据本发明提供的一实施方式，所述胶带为两条，且两条所述胶带以垂直于所述中线的直线为对称线对称设置。

根据本发明提供的一实施方式，所述连接层为腊层。

根据本发明提供的一实施方式，所述在第一预设温度下进行加热时，还包括：沿所述第一厚度晶圆的边缘滴加下腊液。

根据本发明提供的一实施方式，所述下料片的厚度大于或等于15um，且小于或等于25um，所述第一预设温度小于第二预设温度。

根据本发明提供的一实施方式，所述提供一初始晶圆件之前，包括：提供所述治具和第二厚度晶圆；在所述治具的预设区域涂覆热融化材料；将所述第二厚度晶圆贴覆于所述热融化材料上并使得所述热融化材料冷却形成所述连接层；对所述第二厚度晶圆进行减薄抛光处理以得到所述初始晶圆件。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种晶圆，所述晶圆为上述中任一项权利要求所制备得到的第一厚度晶圆。