[发明专利]半导体存储器件的纠错电路和半导体存储器件在审
| 申请号： | 202011026420.9 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN113140252A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 赵诚慧;李起准;宋英杰;金成来;金赞起;李明奎;车相彦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C11/4078 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;赵莎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件的纠错电路包括纠错码(ECC)编码器和ECC解码器。所述ECC编码器使用由生成矩阵表示的纠错码，基于主数据生成奇偶校验数据，并将包括所述主数据和所述奇偶校验数据的码字存储在存储单元阵列的目标页面中。所述ECC解码器基于从所述半导体存储器件的外部提供的地址，从所述目标页面读取所述码字作为读取码字，以基于所述读取码字和奇偶校验矩阵生成不同的校正子，所述奇偶校验矩阵是基于所述ECC的；并且，将所述不同的校正子应用于所述读取码字中的所述主数据，以在所述主数据中存在单个位错误时纠正所述单个位错误，或者在所述目标页面中的相邻两个存储单元中出现两个位错误时纠正所述两个位错误。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 纠错 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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