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[发明专利]用于燃料电池的隔板及燃料电池堆-CN202210968569.1在审
发明人：金陪正;金炫廷;金峨澟;朴英哲;崔显圭;金赞起;金善辉 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01M8/0271 文献下载
摘要：一种用于燃料电池的隔板，该隔板堆叠在设置于膜电极组件上的气体扩散层上，该隔板包括：板体，堆叠在气体扩散层上并且包括流动路径部和歧管部，流动路径部限定与膜电极组件发生反应的反应区域，歧管部与流动路径部间隔开；通孔，设置在板体中以将已经通过歧管部的目标流体引导至流动路径部；以及孔盖，设置在板体的面向气体扩散层的一个表面上以至少部分地覆盖通孔，孔盖限定目标流体移动通过的移动路径。
用于燃料电池隔板

[发明专利]用于燃料电池的双极板以及包括其的燃料电池-CN202211724592.2在审
发明人：金善辉;金炫廷;金峨澟;金陪正;崔显圭;金赞起 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01M8/0265 文献下载
摘要：一种用于燃料电池的双极板以及包括该双极板的燃料电池，该双极板能够提高穿过双极板的流体的冷却效率且包括：第一板；第二板，联接至第一板以形成流体流动的通道；以及多个突起，在流体的流动方向上彼此分开地布置在通道中。
用于燃料电池极板以及包括

[发明专利]燃料电池和燃料电池堆-CN202111299889.4在审
发明人：金炫廷;金陪正;金峨澟;崔显圭;朴炷姸;金善辉;金赞起 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01M8/0202 文献下载
摘要：公开了燃料电池和燃料电池堆，所述燃料电池包括膜电极组件(MEA)、在膜电极组件表面上堆叠的隔板、从隔板的面向膜电极组件的第一表面突出的卷边部和布置在膜电极组件和卷边部之间且配置以密封膜电极组件和隔板之间的部分的密封件，借此确保了燃料电池的刚性并且改善了安全性和可靠性。
燃料电池

[发明专利]燃料电池-CN202110897371.4在审
发明人：金炫廷;金陪正;金峨澟;朴炷姸;崔显圭;金善辉;金赞起 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01M8/0271 文献下载
摘要：一种燃料电池，包括：膜电极组件(MEA)；第一分离器，其堆叠在所述膜电极组件的第一表面上；第二分离器，其堆叠在所述膜电极组件的第二表面上；第一密封构件，其布置在所述第一分离器上，并且被配置为密封所述第一分离器和所述膜电极组件之间的空间；第二密封构件，其布置在所述第二分离器上，并且被配置为密封所述第二分离器和所述膜电极组件之间的空间；以及紧固部，其被配置为将所述第一密封构件紧固到所述第二密封构件。
燃料电池

[发明专利]用于燃料电池的隔膜和燃料电池堆-CN202111007582.2在审
发明人：金峨澟;崔显圭;金炫廷;朴炷姸;金陪正;金善煇;金赞起 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01M8/026 文献下载
摘要：一种用于燃料电池的隔膜，其堆叠在包括膜电极组件(MEA)和堆叠在MEA上的气体扩散层(GDL)的反应层上，该隔膜包括：板体，其堆叠在GDL上；台阶部分，反应气体在其上沿第一方向流动，其设置在板体的第一表面上，第一表面面对GDL，台阶部分设置于与反应气体流动的第一方向相交的第二方向上；凸台，其设置在台阶部分上，并在第二方向上彼此间隔开，凸台与GDL相接触；第一通道，其限定在GDL和台阶部分之间，并设置在相邻的凸台之间，第一通道被配置为使反应气体沿第一通道流动；第二通道，其限定在板体和GDL之间，并与第一通道连通，第二通道被配置为使反应气体沿第二通道流动。
用于燃料电池隔膜

[发明专利]存储器控制器、存储器系统和存储器模块-CN202110504822.3在审
发明人：金浩渊;李起准;金赞起;李明奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：控制存储器模块的存储器控制器包括纠错码(ECC)引擎、控制ECC引擎的中央处理单元、和错误管理电路。ECC引擎对从存储器模块读取的码字集执行ECC解码，以在读取操作中生成第一校正子和第二校正子，基于第一校正子和第二校正子纠正用户数据集中的可纠正错误，并向错误管理电路提供与可纠正错误相关联的第二校正子。错误管理电路对与通过读取操作检测到的可纠正错误相关联的错误地址进行计数，通过累积与可纠正错误相关联的第二校正子来存储第二校正子，基于计数和所累积的第二校正子来确定可纠正错误的属性，以及确定与可纠正错误相关联的存储器区域上的错误管理策略。
存储器控制器系统模块

[发明专利]半导体存储器件的纠错电路和半导体存储器件-CN202011026420.9在审
发明人：赵诚慧;李起准;宋英杰;金成来;金赞起;李明奎;车相彦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：一种半导体存储器件的纠错电路包括纠错码(ECC)编码器和ECC解码器。所述ECC编码器使用由生成矩阵表示的纠错码，基于主数据生成奇偶校验数据，并将包括所述主数据和所述奇偶校验数据的码字存储在存储单元阵列的目标页面中。所述ECC解码器基于从所述半导体存储器件的外部提供的地址，从所述目标页面读取所述码字作为读取码字，以基于所述读取码字和奇偶校验矩阵生成不同的校正子，所述奇偶校验矩阵是基于所述ECC的；并且，将所述不同的校正子应用于所述读取码字中的所述主数据，以在所述主数据中存在单个位错误时纠正所述单个位错误，或者在所述目标页面中的相邻两个存储单元中出现两个位错误时纠正所述两个位错误。
半导体存储器件纠错电路

[发明专利]纠错电路、存储器控制器和存储器系统-CN202011078878.9在审
发明人：金成来;李起准;李明奎;赵诚慧;金赞起;宋英杰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：提供了纠错电路、存储器控制器和存储器系统。存储器控制器包括纠错电路和用于控制纠错电路的中央处理器(CPU)。纠错电路包括纠错码(ECC)解码器和用于存储奇偶校验矩阵的存储器。ECC解码器对从存储器模块读取的码字执行ECC解码以：(i)生成第一校正子和第二校正子，(ii)基于第一校正子和第二校正子生成与码字中的错误的类型相关联的解码模式标志，(iii)基于解码模式标志在第一解码模式和第二解码模式中的一个解码模式下操作，以及(iv)选择性地纠正码字中的一个或多个符号错误或与多个数据芯片中的一个数据芯片相关联的芯片错误。
纠错电路存储器控制器系统

[发明专利]半导体存储器装置和存储器系统-CN202011097492.2在审
发明人：赵诚慧;金赞起;李起准;车相彦;李明奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置和存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列、纠错电路、输入/输出(I/O)门控电路和控制逻辑电路。存储器单元阵列结合到字线和位线，并且被划分为子阵列块。纠错电路使用纠错码(ECC)基于主数据生成奇偶校验数据。控制逻辑电路基于命令和地址来控制纠错电路和I/O门控电路。控制逻辑电路将主数据和奇偶校验数据存储在子阵列块之中的第二方向上的(k+1)个目标子阵列块中，并且控制I/O门控电路，使得所述(k+1)个目标子阵列块中的部分存储主数据的部分和奇偶校验数据的部分两者。
半导体存储器装置系统

[发明专利]存储器控制器和包括该存储器控制器的存储器系统-CN202010489243.1在审
发明人：李起准;金赞起;赵诚慧;李明奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：公开了存储器控制器和包括该存储器控制器的存储器系统。所述存储器控制器被配置为控制存储器模块，所述存储器控制器包括：处理电路，被配置为：使用奇偶校验矩阵的第一部分对来自存储器模块的读取码字执行ECC解码，以生成第一校正子和第二校正子；基于第二校正子和判定校正子来确定读取码字中的错误的类型，判定校正子与第一校正子和第二校正子之和对应；以及输出指示错误的类型的解码状态标志。
存储器控制器包括系统

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