[发明专利]一种无稀土掺杂高居里温度压电陶瓷元件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011019254.X | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112125669B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 彭志航;曹峰;向阳;陈莉 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/634;C04B35/638;C04B35/64;C04B41/88;C04B41/80;G01H11/08 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 张丽娟 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种无稀土掺杂高居里温度压电陶瓷元件，所述无稀土掺杂高居里温度压电陶瓷元件的化学通式为：(1‑x‑y)CaBi |
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| 搜索关键词： | 一种 稀土 掺杂 居里 温度 压电 陶瓷 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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