[发明专利]一种太赫兹真空电子器件冷阴极栅网及其制备方法在审
| 申请号： | 202011014023.X | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112289664A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李兴辉;韩攀阳;杜婷;姜琪;杨金生;蔡军;冯进军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十二研究所 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 邹欢 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太赫兹真空电子器件冷阴极栅网，其包括：栅网基片，在所述栅网基片中心区域包含栅极透孔阵列；栅网支撑环，位于所述栅网基片上，二者焊接一体。该栅网能够适用于太赫兹真空电子器件冷阴极，可实现器件良好的综合性能。本发明还公开了该太赫兹真空电子器件冷阴极栅网的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 真空 电子器件 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 戴庆;刘冠江;李驰;李振军 - 郑州大学;国家纳米科学中心
- 2021-07-12 - 2021-11-19 - H01J1/304
- 本发明涉及一种自对准石墨烯场发射栅极结构及其制备方法，属于真空电子器件领域，自对准石墨烯场发射栅极结构包括：衬底；绝缘层沉积在衬底上，且绝缘层在衬底上间隔设置；栅极沉积在绝缘层上；发射锥尖设置在各绝缘层之间的衬底上；石墨烯平铺在栅极上；栅压电源一极加在衬底上，另一极加在栅极上，用于在衬底和栅极之间施加不同大小的栅压，进而对石墨烯进行可控刻蚀，形成自对准的栅极孔。通过在衬底和栅极之间施加一个很小的栅压，便可在发射锥尖处形成极大的增强电场，通过改变栅压的大小来改变发射电子的数目，从而对上方石墨烯层进行可控刻蚀，最终形成自对准的栅极孔，大幅降低了栅极的调制电压，并有效提高了电子透过率。
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