[发明专利]一种双向导电的功率半导体器件结构有效
| 申请号： | 202011013083.X | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112151533B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 乔明;张发备;陈勇;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种双向导电的功率半导体器件结构，通过四个功率二极管的相互连接，实现了使非对称的功率开关器件达成双向耐压及双向导电的目的。与传统的共漏极MOS对管结构对比，不仅能够降低器件总面积，提高集成度，降低成本，还能降低器件总体导通电阻，降低导通功耗。并且，二极管支路的存在，还能再电路两端电压过高、MOSFET出现击穿时提供分流支路，降低MOSFET烧毁的风险。在电池管理系统等需要双向耐压、双向导电的场合有着巨大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 导电 功率 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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