[发明专利]一种双向导电的功率半导体器件结构有效
| 申请号： | 202011013083.X | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112151533B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 乔明;张发备;陈勇;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双向 导电 功率 半导体器件 结构 | ||
1.一种双向导电的功率半导体器件结构，其特征在于包括：
四个参数相同的功率二极管D1、D2、D3、D4以及一个功率MOSFET器件M1，且每个功率二极管反向击穿电压小于功率MOSFET器件M1或与功率MOSFET器件M1相等；功率二极管D1的阳极与功率二极管D4的阴极相连，构成电路的第一个输入/输出端口S1；功率二极管D1的阴极、功率二极管D2的阴极以及功率MOSFET器件M1的漏极三者相连；功率二极管D3的阳极、功率二极管D4的阳极以及功率MOSFET器件M1的源极三者相连；功率二极管D2的阳极与功率二极管D3的阴极相连，构成电路的第二个输入/输出端口S2；功率MOSFET器件M1的栅极构成电路的控制端G；
四个功率二极管D1、D2、D3、D4是开启电压低于0.7V的低开启电压恒流二极管；
所述低开启电压恒流二极管包括以下结构：第一导电类型衬底(01)，位于第一导电类型衬底(01)之上的第二导电类型外延层(02)，位于第二导电类型外延层(02)表面的第一导电类型阱区(03)，位于第一导电类型阱区(03)中的第一导电类型阴极接触区(04)和第二导电类型阴极接触区(05)，位于第二导电类型外延层(02)和第一导电类型阱区(03)上表面的第二导电类型沟道注入区(06)，位于第二导电类型外延层(02)和第二导电类型沟道注入区(06)上表面的栅介质层(07)，位于栅介质层(07)上方的栅极多晶硅(08)，覆盖整个恒流二极管元胞表面的阴极金属接触(10)，位于第一导电类型衬底(01)下表面的阳极金属接触(20)。
2.根据权利要求1所述的一种双向导电的功率半导体器件结构，其特征在于：
功率MOSFET器件是VDMOS器件或是LDMOS器件；是N沟道器件或是P沟道器件；是增强型MOSFET或是耗尽型MOSFET。
3.根据权利要求1所述的一种双向导电的功率半导体器件结构，其特征在于：
功率MOSFET器件替换为IGBT器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011013083.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
