[发明专利]PVT法生长碳化硅晶体的生长方法有效
| 申请号： | 202011011423.5 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112144110B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陈豆;薛卫明;马远 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种PVT法生长碳化硅晶体的生长方法，该方法包括：提供坩埚；于坩埚中放置碳化硅原料及籽晶；将坩埚放入生长腔室中并抽真空，再通入保护气体，设定腔室温度；温度升至第一预设温度，通过坩埚内的疏气装置通入含氯气体，温度升至第二预设温度，停止通入或继续通入第一预设时间含氯气体；温度升至第三预设温度，碳化硅晶体开始生长第二预设时间后，经退火处理得到碳化硅晶体。该生长方法，可有效控制含氯气体释放速率与均匀性，避免气相硅在晶体表面凝结而形成结晶缺陷；通过控制含氯气体通入时间与流量，可进一步避免结晶缺陷；多孔石墨块的安置可使通入的多余含氯气体以及悬浮于生长气氛中碳颗粒的逸散，减少晶体中碳包裹物缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | pvt 生长 碳化硅 晶体 方法 | ||
【主权项】：
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