[发明专利]一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法在审
| 申请号： | 202010980308.2 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112185813A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 陈瑶;丁颖;苏向斌;倪海桥;陈鹏;赵涛 | 申请（专利权）人： | 南京信光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 鲍敬 |
| 地址： | 210001 江苏省南京市秦淮区中山东*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法，包括以下具体步骤：S1、在衬底上生长缓冲层和牺牲层；S2、在牺牲层上生长或溅镀与牺牲层化学性质不同的薄膜层；S3、在薄膜层上进行光刻工艺，刻蚀所需要的图形；S4、利用湿法腐蚀的加工工艺在薄膜层上刻蚀图案；S5、调配一定比例的腐蚀溶液，用于薄膜层和衬底的分离，最终得到带图案的薄膜工艺。本发明与现有技术相比的优点在于：制备的带有图形结构的薄膜可以应用到多个领域，如耳机，麦克风等，且薄膜厚度可控，在薄膜上可以刻蚀多种图形，工艺步骤简单合理，刻蚀效果好，大大降低了人力物力投入，提高了加工效率和精度，符合目前半导体加工需求，便于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 湿法 腐蚀 薄膜 图形 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京信光半导体科技有限公司，未经南京信光半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010980308.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：内嵌式触控阵列基板及其制造方法
- 下一篇：一种用于地下管道埋设的运输埋设设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
