[发明专利]化学气相沉积装置及基片温度控制方法

摘要

本发明公开了一种化学气相沉积装置及基片温度控制方法，所述装置包括一反应腔，反应腔内设置通过旋转轴进行支撑的基片托盘，基片托盘位于进气喷头下方，基片托盘上设有若干个向下凹陷的基片承载区，用于放置基片，基片托盘中设置多个第一独立气道，每个第一独立气道联通到一个基片承载区，为基片的底面与基片承载区的上表面之间的凹坑空间通入成份独立可调的导热气体，导热气体包含一种或多种气体成份；基片托盘下方设置加热器，加热器围绕旋转轴设置，用于控制上方基片的温度，基片利用凹坑空间内的气体进行热传导以实现该基片的温度控制。本发明实现基片托盘上各个晶圆之间的加热温度一致性。