[发明专利]超陡亚阈值摆幅器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010975409.0 申请日: 2020-09-16
公开(公告)号: CN112349775B 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 程为军;梁仁荣;许军;蒋春生 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L29/51;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 尹璐
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提出了超陡亚阈值摆幅器件及其制备方法。该超陡亚阈值摆幅器件包括:衬底,包括阱区、源区、漏区和口袋区,其中,源区和漏区分别设置在阱区的一侧,口袋区设置在源区远离阱区并靠近漏区的一侧;绝缘介质层,覆盖源区和漏区;界面氧化层,覆盖口袋区和阱区;栅堆叠结构,覆盖界面氧化层且包括至少一层铁电介质薄膜;栅极,设置在栅堆叠结构界面氧化层的表面。本发明所提出的超陡亚阈值摆幅器,具有关态电流小、开态电流大、驱动电压低、亚阈值摆幅在较宽的驱动电流范围内基本保持不变等优势。
搜索关键词: 超陡亚 阈值 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
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