[发明专利]可减小由电容边缘效应导致的电容-位移之间的非线性的栅结构有效
| 申请号： | 202010969373.5 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112129278B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 郑旭东;王雪同;吴海斌;金仲和 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01C19/5719 | 分类号： | G01C19/5719;G01C19/5733;G01C19/5769;B81B7/02 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可减小由电容边缘效应导致的电容‑位移之间的非线性的栅结构，所述的栅结构的两个侧面与靠近金属电极的底面形成的夹角小于90°。本发明通过对微机械陀螺仪中的栅结构形状进行改进，将栅结构的两个垂直侧面优化为与底面形成夹角，可有效减小由电容边缘效应导致的电容‑位移之间的非线性。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 电容 边缘 效应 导致 位移 之间 非线性 结构 | ||
【主权项】：
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