[发明专利]加热装置及具有其的MOCVD设备在审
申请号: | 202010953754.4 | 申请日: | 2020-09-11 |
公开(公告)号: | CN114164415A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 聚灿光电科技(宿迁)有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 沈晓敏 |
地址: | 223800 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种加热装置及具有其的MOCVD设备,加热装置适用于MOCVD设备,其外轮廓大致呈圆形,并沿其周向分为偶数个扇形区;每个扇形区内分为依次交替排布的多个加热区和多个空置区,所述加热装置内设有加热元件,所述加热元件至少覆盖部分所述加热区;于相邻的两个扇形区内,一扇形区内的加热区与另一扇形区内的空置区在分布位置上呈镜像对称关系。分别位于相邻两个扇形区内的加热元件在分部位置上呈互补的关系,从而能使加热元件在加热时产生一个互补的温场。由于基片承载盘在工作时,通常处于高速旋转的状态,能够在不同温场中循环受热,从而使其整体温度更加均匀,并最终使其上的基片受热更加均匀。 | ||
搜索关键词: | 加热 装置 具有 mocvd 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的