[发明专利]一种无镉基量子点发光二极管制备方法

摘要

本发明公开了一种无镉基量子点发光二极管制备方法，所述的无镉基量子点发光二极管包括：阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极；所述的阳极为ITO导电玻璃，所述的空穴注入层为PEDOT:PSS，所述的空穴传输层为Poly‑TPD，所述的量子点发光层为InP，所述的电子传输层为ZnMgO，所述的阴极材料为Ag。制备方法包括，清洗ITO导电玻璃，依次在ITO导电玻璃旋涂PEDOT:PSS、Poly‑TPD、InP量子点、ZnMgO，最后真空蒸镀阴极Ag层，完成器件制备。进一步对器件进行封装获得无镉基量子点发光二极管。本发明采用ZnMgO材料作为电子传输层，有效改善了载流子迁移率，促进载流子平衡，并且通过功能层厚度调控，优化了载流子的注入和传输，进而提高了器件性能。