[发明专利]一种无镉基量子点发光二极管制备方法

权利要求书

1.一种无镉基量子点发光二极管制备方法，所述的无镉基量子点发光二极管包括：阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极；所述的阳极为氧化铟锡（ITO）导电玻璃，所述的空穴注入层为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)（PEDOT:PSS），所述的空穴传输层为聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]（Poly-TPD），所述的量子点发光层为InP，所述的电子传输层为ZnMgO，所述的阴极材料为Ag，所述的制备方法步骤包括：

第一步：ITO导电玻璃清洗，按顺序分别将ITO导电玻璃浸入特种溶剂油D90和去离子水、去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇，超声清洗10分钟；

第二步：清洗好的ITO导电玻璃用氮气枪除去表面液体，正面朝上放置于旋涂机卡槽中，取PEDOT:PSS逐滴滴在ITO导电玻璃上并进行旋涂，旋涂转速为4500rpm，旋涂时间为45s；旋涂完成后将滴有PEDOT:PSS的ITO导电玻璃置于恒温加热台，150℃条件下退火30min；

第三步：将退火完成的涂有PEDOT:PSS的ITO导电玻璃正面朝上放置于旋涂机卡槽中，用移液枪移取30μL Poly-TPD滴在ITO导电玻璃上并进行旋涂，旋涂转速为2000rpm，旋涂时间为45s，旋涂完成后将滴有Poly-TPD的ITO导电玻璃置于恒温加热台，120℃条件下退火20min；

第四步：将第三步获得的涂有PEDOT:PSS、Poly-TPD的ITO导电玻璃放置于旋涂机卡槽中，用移液枪移取20μL InP量子点溶液滴在ITO导电玻璃上并进行旋涂，旋涂转速为2000rpm，旋涂时间为45s;

第五步：将第四步获得的涂有PEDOT:PSS、Poly-TPD、InP量子点的ITO导电玻璃放置于旋涂机卡槽中，用移液枪移取30μL ZnMgO溶液滴在ITO导电玻璃上并进行旋涂，旋涂转速为2000rpm，旋涂时间为45s;

第六步：将第五步获得的涂有PEDOT:PSS、Poly-TPD、InP量子点、ZnMgO的ITO导电玻璃放置真空蒸发台，以Ag颗粒作为金属蒸发源蒸镀于ZnMgO层表面，形成阴极Ag层；完成蒸镀后，对器件进行封装获得无镉基量子点发光二极管；

其特征在于，所述的ZnMgO材料是ZnO材料中掺入摩尔比为12.5%的Mg；所述的第四步中InP量子点旋涂完所获得的InP量子点薄膜的厚度为12nm；所述的第五步中ZnMgO旋涂完所获得的的ZnMgO薄膜的厚度为60-80nm；所述的第六步中蒸镀阴极Ag层厚度为100nm。

2.根据权利要求1所述的一种无镉基量子点发光二极管制备方法，其特征在于，所述的PEDOT:PSS浓度为1.3%-1.7%。

3.根据权利要求1所述的一种无镉基量子点发光二极管制备方法，其特征在于，所述的Poly-TPD浓度为8mg/ml。

4.根据权利要求1所述的一种无镉基量子点发光二极管制备方法，其特征在于，所述的第六步中，对器件进行封装所使用的封装胶水为3492紫外线固化胶。