[发明专利]一种衬底剥离方法有效
| 申请号： | 202010943817.8 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN112164672B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 何晨光;张康;吴华龙;陈志涛;赵维;贺龙飞;刘云洲;廖乾光 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种衬底剥离方法。本发明的衬底剥离方法包括以下步骤：(1)在第一衬底上沉积AlN材料，形成复合基板，其中，沉积AlN材料过程中的环境气氛掺有氧元素，使得AlN材料中氧原子浓度高于1E16cm |
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| 搜索关键词： | 一种 衬底 剥离 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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