[发明专利]一种衬底剥离方法有效
| 申请号： | 202010943817.8 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN112164672B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 何晨光;张康;吴华龙;陈志涛;赵维;贺龙飞;刘云洲;廖乾光 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 剥离 方法 | ||
1.一种衬底剥离方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在第一衬底上沉积AlN材料，形成复合基板，其中，沉积AlN材料过程中的环境气氛掺有氧元素，使得AlN材料中氧原子浓度高于1E16 cm-3；所述复合基板中AlN的厚度为200-2000nm；
(2)将复合基板置于退火炉中，升温至1400-2000℃，并在此温度退火0.5-24h，在退火过程中，在AlN材料与第一衬底的界面上方形成反型边界，在此边界下方为N极性AlN，在此界面上方为Al极性AlN，退火后降温将复合基板取出，所述反型边界的厚度为1-10nm；
步骤(2)中，复合基板采用AlN面贴合AlN面的摆放方式置于退火炉中退火；
(3)在经过退火的复合基板上外延生长外延层，形成完整的外延片；
(4)将激光从第一衬底面照射，激光光斑聚焦在反型边界，使得反型边界上方和下方分离，实现第一衬底的剥离；
步骤(4)中，剥离后的第一衬底采用化学方法去除残余的AlN后回收利用。
2.根据权利要求1所述的衬底剥离方法，其特征在于，步骤(1)中，沉积AlN材料的方法包括金属有机物化学气相沉积、氢化物气相沉积、激光脉冲沉积、原子层沉积、分子束外延和磁控溅射中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的衬底剥离方法，其特征在于，步骤(3)中还包括对外延层进行微纳加工处理，形成上层结构，将上层结构键合到第二衬底的步骤。
4.根据权利要求3所述的衬底剥离方法，其特征在于，所述微纳加工处理包括刻蚀或蒸镀电极。
5.根据权利要求3所述的衬底剥离方法，其特征在于，所述第二衬底包括Si衬底。
6.根据权利要求1所述的衬底剥离方法，其特征在于，所述第一衬底包括蓝宝石衬底或SiC衬底。
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