[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 202010933777.9 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112490190A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 西田吉辉;饭田英一;千东谦太 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供晶片的加工方法，能够抑制器件芯片的抗弯强度降低。该晶片的加工方法是在正面侧具有功能层的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：激光加工步骤，照射激光束而沿着间隔道将功能层去除，并且沿着间隔道形成激光加工槽；切削槽形成步骤，利用切削刀具对晶片进行切削，沿着间隔道在激光加工槽的内侧形成切削槽；磨削步骤，对晶片的背面侧进行磨削而使晶片薄化，使切削槽在晶片的背面侧露出而将晶片分割成多个器件芯片；以及加工应变去除步骤，向晶片的背面侧提供等离子状态的气体，将形成于多个器件芯片的背面侧和侧部的加工应变去除，在加工应变去除步骤中，将形成于激光加工槽的周边的热影响层去除。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010933777.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：加热烹调器
- 下一篇：阀系统、管道歧管和泵系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
