[发明专利]高速开关射频开关在审
| 申请号： | 202010931982.1 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN112564678A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 文卡塔·纳加·库什克·马拉迪;约瑟夫·斯陶丁格 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/04 | 分类号： | H03K17/04;H03K17/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周祺 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述的实施例包括射频(RF)开关。一般来说，本文描述的实施例选择性地偏置在所述RF开关中的一个或多个开关晶体管的输出端。这类耦合能够提供显著降低栅极滞后效应的偏置。在一个实施例中，所述RF开关包括天线节点、第一输入/输出(I/O)节点、第二I/O节点、场效应晶体管(FET)、FET堆叠和偏置耦合电路。在此实施例中，所述偏置耦合电路将所述FET的栅极端电耦合到所述FET堆叠的一个或多个FET输出端，以将偏置电压提供到所述一个或多个输出端。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 开关 射频 | ||
【主权项】：
暂无信息
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