[发明专利]高速开关射频开关

权利要求书

1.一种射频(RF)开关，其特征在于，包括：

天线节点；

第一输入/输出(I/O)节点；

第二I/O节点；

在所述天线节点和所述第一I/O节点之间耦合的第一场效应晶体管(FET)，所述第一FET具有第一栅极端；

在所述天线节点和所述第二I/O节点之间耦合的第一FET堆叠，所述第一FET堆叠具有第一多个输出端；和

将所述第一栅极端电耦合到所述第一多个输出端的一个或多个输出端的第一偏置耦合电路。

2.根据权利要求1所述的RF开关，其特征在于，所述第一偏置耦合电路包括第一多个阻抗元件，所述第一多个阻抗元件中的每个阻抗元件耦合到所述第一多个输出端中的一个输出端。

3.根据权利要求1所述的RF开关，其特征在于，所述第一偏置耦合电路包括第一多个电阻器，所述第一多个电阻器中的每个电阻器电耦合到所述第一多个输出端中的一个输出端。

4.根据权利要求3所述的RF开关，其特征在于，所述第一多个电阻器中的所述每个电阻器的电阻大于10K欧姆。

5.根据权利要求1所述的RF开关，其特征在于，另外包括：

在所述第一I/O节点和第一参考节点之间耦合的第二FET堆叠，所述第二FET堆叠具有第二多个输出端；和

将所述第一栅极端电耦合到所述第二多个输出端的第二偏置耦合电路。

6.根据权利要求5所述的RF开关，其特征在于，所述第二偏置耦合电路包括第二多个电阻器，所述第二多个电阻器中的每个电阻器电耦合到所述第二多个输出端中的一个输出端。

7.根据权利要求1所述的RF开关，其特征在于，所述第一FET和所述第一FET堆叠中的每个在基于砷化镓(GaAs)的衬底或基于氮化镓(GaN)的衬底上形成。

8.根据权利要求1所述的RF开关，其特征在于，所述第一多个输出端中的每个输出端包括源极端或漏极端。

9.一种射频(RF)开关，其特征在于，包括：

天线节点；

发射节点；

接收节点；

第一参考节点；

第二参考节点；

在所述天线节点和所述发射节点之间耦合的第一场效应晶体管(FET)堆叠，所述第一FET堆叠包括第一串联耦合的多个FET，所述第一串联耦合的多个FET中的每个FET具有第一多个输出端，所述第一FET堆叠具有第一栅极端；

在所述天线节点和所述接收节点之间耦合的第二FET堆叠，所述第二FET堆叠包括第二串联耦合的多个FET，所述第二串联耦合的多个FET中的每个FET具有第二多个输出端，所述第二FET堆叠具有第二栅极端；

在所述发射节点和所述第一参考节点之间耦合的第三FET堆叠，所述第三FET堆叠包括第三串联耦合的多个FET，所述第三串联耦合的多个FET中的每个FET具有第三多个输出端，所述第三FET堆叠具有第三栅极端；

在所述接收节点和所述第二参考节点之间耦合的第四FET堆叠，所述第四FET堆叠包括第四串联耦合的多个FET，所述第四串联耦合的多个FET中的每个FET具有第四多个输出端，所述第四FET堆叠具有第四栅极端；

将所述第一栅极端电耦合到所述第二多个输出端的第一偏置耦合电路；和

将所述第一栅极端电耦合到所述第三多个输出端的第二偏置耦合电路。

10.一种控制射频(RF)开关的方法，其特征在于，所述RF开关包括在天线节点和第一I/O节点之间的第一场效应晶体管(FET)堆叠和在所述天线节点和第二I/O节点之间的第二FET堆叠，所述方法包括以下步骤：

将在所述第一FET堆叠中的FET的栅极端处的第一控制信号提供到在所述第二FET堆叠中的至少一个FET的至少一个输出端；和

与所述提供所述第一控制信号同时，将第二控制信号提供到在所述第二FET堆叠中的所述FET的栅极端，所述第二控制信号为所述第一控制信号的反相。