[发明专利]一种二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法在审
| 申请号： | 202010917730.3 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112126978A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 王妙;王小梅;杨万民;冯忠岭 | 申请（专利权）人： | 西安航空学院 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B31/06;C30B1/00 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710077 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法，通过将废弃钆钡铜氧超导块材表面磨平抛光做为固相源坯块，采用顶部籽晶熔渗生长法，固相源坯块在籽晶的作用下重新诱导液相源进行二次单畴化生长。本发明整个过程中仅需要固态反应制备BaCuO |
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| 搜索关键词： | 一种 二次 化生 长钆钡铜氧 超导 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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