[发明专利]一种二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法

权利要求书

1.一种二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法，该方法由下述步骤组成：

(1)配制BaCuO₂粉

将BaCO₃与CuO粉按摩尔比为1:1混合，用固态反应法制成BaCuO₂粉；

(2)配制液相源先驱粉

将分析纯的Y₂O₃、CuO粉以及BaCuO₂粉按摩尔比1:6:10混合均匀，作为液相源先驱粉；

(3)制备固相源坯块

(4)压制液相源先驱块

将液相源先驱粉压制成直径大于固相源坯块的圆柱体，作为液相源先驱块；

(5)压制支撑块

将Yb₂O₃粉压制成直径与液相源先驱块直径相同的圆柱体，作为支撑块；

(6)坯体装配

在Al₂O₃垫片上表面至下而上依次放置MgO单晶片、支撑块、液相源坯块、固相源坯块、钕钡铜氧籽晶块，装配成坯体；

(7)二次单畴化生长钆钡铜氧块材

(8)渗氧处理

将二次单畴化生长的钆钡铜氧块材置入石英管式炉中，在流通氧气气氛、440～350℃的温区中慢冷200小时，得到单畴钆钡铜氧超导块材；

其特征在于：所述的(3)制备固相源坯块的方法为：用切片机将废弃钆钡铜氧块材中的液相部分去除，并用磨抛机将其上、下表面抛光，作为固相源坯块；

所述的(7)二次单畴化生长钆钡铜氧块材的具体方法为：将装配好的坯体放入管式炉中，以每小时100～150℃的升温速率升温至900℃，保温20小时，再以每小时40～80℃的升温速率升温至1055～1065℃，保温1～2.5小时，然后以每小时30℃的降温速率降温至1035～1045℃，以每小时1～2℃的降温速率慢冷至1040～1030℃，以每小时0.1～0.5℃的降温速率慢冷至1015～1025℃，随炉自然冷至室温，得到二次单畴化生长的钆钡铜氧块材。

2.根据权利要求1所述的二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法，其特征在于：在步骤(3)中，废弃钆钡铜氧超导块材可以是采用任意制备工艺生长失败的样品，包括顶部籽晶熔渗生长方法、顶部籽晶熔融生长方法，但要求样品完整无缺，没有裂纹。

3.根据权利要求1所述的二次单畴化生长钆钡铜氧超导块材的方法，其特征在于：在步骤(7)中，将装配好的坯体放入管式炉中，以每小时120℃的升温速率升温至900℃，保温20小时，再以每小时60℃的升温速率升温至1062℃，保温2小时，然后以每小时30℃的降温速率降温至1040℃，以每小时1.5℃的降温速率慢冷至1035℃，以每小时0.3℃的降温速率慢冷至1020℃，随炉自然冷至室温，得到二次单畴化生长的钆钡铜氧块材。