[发明专利]一种分子束外延用砷棒的制作方法在审
申请号: | 202010915130.3 | 申请日: | 2020-09-03 |
公开(公告)号: | CN112030224A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 卢鹏荐;曾小龙;范晨光;黄顼;夏文俊 | 申请(专利权)人: | 武汉拓材科技有限公司 |
主分类号: | C30B23/02 | 分类号: | C30B23/02;C30B25/02 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 冯子玲 |
地址: | 436032 湖北省鄂州*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种分子束外延用砷棒的制作方法,具体包括如下步骤,步骤1:相关设备的基本处理,步骤2:石英管的基本操作,步骤3:砷颗粒的初次加工,步骤4:砷颗粒的高阶加工,步骤5:砷颗粒的二次熔化,步骤6:砷颗粒的基本成型,本发明涉及砷棒技术领域。该分子束外延用砷棒的制作方法,使得砷颗粒能够通过高阶加工初步熔化,然后再通过二次熔化,使得砷颗粒在高温高压炉内彻底熔化,以便后续能够顺利成型,避免了砷颗粒因为熔化不完全导致的成型效果不佳,间接的提高了后期产品的合格率和产品质量,原料砷颗粒能够直接进入氦气保环境,有效的避免了砷颗粒的氧化,避免了砷棒制作过程中生成杂质。 | ||
搜索关键词: | 一种 分子 外延 用砷棒 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉拓材科技有限公司,未经武汉拓材科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010915130.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。