[发明专利]一种用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010907453.8 申请日: 2020-09-02
公开(公告)号: CN111995983A 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 南振华;祁有丽 申请(专利权)人: 中科孚迪科技发展有限公司
主分类号: C09K3/14 分类号: C09K3/14;C09G1/02
代理公司: 长沙大珂知识产权代理事务所(普通合伙) 43236 代理人: 伍志祥
地址: 410500 湖南省岳阳*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开一种用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法,涉及硬脆材料研磨抛光加工技术领域。本发明公开的用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法,具体步骤为:将增稠剂、润湿剂、偶联剂、分散剂、润滑剂、消泡剂依次加入到溶剂中搅拌均匀,加入去离子水,搅拌均匀至形成均一流体,然后加入固体磨料,搅拌直至形成稳定均一的悬浮体系。本发明制备的研磨液悬浮性能稳定,加工过程中研磨剂不易沉底,可重复循环使用多次;流动性良好,不会出现结块现象,避免堵塞输液管道;表面润湿性和分散性俱佳,加工过程中研磨液分布均匀,避免加工界面产生划伤,提高加工良品率;易清洗,避免为后续加工过程引入杂质,研磨去除率高,提高加工效率。
搜索关键词: 一种 用于 半导体 晶片 加工 研磨 制备 方法
【主权项】:
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