[发明专利]阻变存储器、阻变元件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010904835.5 | 申请日： | 2020-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN111969109B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 刘宇;沈鼎瀛;康赐俊;邱泰玮;王丹云;单利军 | 申请（专利权）人： | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00;H10N70/00 |
| 代理公司： | 厦门创象知识产权代理有限公司 35232 | 代理人： | 陈文戎 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市软件*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变元件的制备方法，包括以下步骤：采用刻蚀工艺、沉积工艺和磨平工艺交叉进行，以制备所述底电极、所述阻变层和所述顶电极；在制备所述底电极和所述阻变层的过程中，采用侧墙工艺对所述底电极、所述阻变介质层和所述储氧层中的至少一个进行优化处理，以使所述底电极与所述阻变介质层之间的接触面积变小，和/或，所述阻变介质层与所述储氧层之间的接触面积变小。本发明的制备方法能够在阻变层中形成导电丝，从而通过导电丝的形成和断裂来实现低阻态和高阻态。本发明还公开了一种阻变元件以及具有其的阻变存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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