[发明专利]反熔丝存储器在审
| 申请号： | 202010893535.1 | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111987101A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 葛西秀男;谷口泰弘;川嶋泰彦;樱井良多郎;品川裕;户谷达郎;山口贵德;大和田福夫;吉田信司;畑田辉男;野田敏史;加藤贵文;村谷哲也;奥山幸祐 | 申请（专利权）人： | 株式会社佛罗迪亚 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L23/525;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京海智友知识产权代理事务所(普通合伙) 11455 | 代理人： | 吴京顺 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一种反熔丝存储器(42)，其特征在于，包括：存储器电容(44)，包括存储器栅极(G)和扩散区域，所述存储器栅极的一部分与活性区域相对配置，在所述存储器栅极与所述活性区域的相对区域形成有存储器栅绝缘膜(6)；N型MOS晶体管，包括整流元件栅极(G1)、源区域和漏区域，其中，所述扩散区域与位线(BL)连接，所述存储器栅极与所述源区域连接，所述整流元件栅极和所述漏区域与字线(WL)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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