[发明专利]LED芯片及LED芯片制造方法在审
| 申请号： | 202010892949.2 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111864026A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 223800 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片及LED芯片制造方法，LED芯片包括衬底和设于其上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层、N电极和P电极，透明导电层设有第一窗口区，第一窗口区设于N型半导体层上方，暴露出N型半导体层；于第一窗口区内，N型半导体层上设有金属层，金属层上方设有绝缘层，金属层与透明导电层电性连接；N电极包括N电极焊盘部和N电极扩展部，N电极焊盘部设于绝缘层上方，N电极扩展部电性连接至N型半导体层。保留了位于N电极下方的发光层，在绝缘层下方区域采用金属层代替透明导电层，具有优良粘附性的金属层稳固粘附绝缘层和半导体层，且纳米级厚度的金属层呈透明状，具有透光性，使N电极下方的发光区域得到有效利用。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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