[发明专利]LDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010892470.9 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111883595A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 许昭昭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种LDMOS器件及其制作方法。其中，方法包括以下步骤：提供半导体基底，在器件半导体基底的周围形成浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构从半导体基底的正面向下延伸；在被浅沟槽隔离结构包围的半导体基底中形成漂移区；在器件源端区域的漂移区中形成体区；形成跨接在体区和漏端区域之间的栅极结构；在器件漏端区域的漂移区中形成高压LDD区；在连接体区和高压LDD区的栅极结构侧边处分别形成侧墙；在体区和高压LDD区中分别形成源区和漏区，源区和漏区与对应的侧墙形成交叠区域；其中器件是通过该方法制作而成。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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