[发明专利]闪存器件的形成方法

摘要

本发明提供一种闪存器件的形成方法，包括：在半导体衬底上依次形成栅结构层和掩膜层；刻蚀所述掩膜层及所述栅结构层以形成第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间具有开口，所述开口暴露出部分所述半导体衬底，所述开口作为层间介质层填充的工艺窗口；通过在栅结构层上形成掩膜层，在执行所述第一离子注入工艺时，可以避免离子注入击穿所述第一栅极结构或所述第二栅及结构，此外，相比现有技术，由于所述掩膜层的存在，相应的可减少所述栅结构层的厚度，由此可以减少所述栅结构层中的所述开口之间的深宽比，即可减少层间介质层工艺窗口的深宽比，从而可以改善后续填充在所述开口中的层间介质层的填充质量。