[发明专利]低导通压降二极管器件及制备方法在审
| 申请号： | 202010880553.6 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN111969053A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 李轩;陈致宇;徐晓杰;叶俊杰;邓小川;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种低导通压降二极管器件及其制备方法，包括：铝离子注入形成P型基区；铝离子注入形成P+源区；氮离子注入形成N+源区；刻蚀沟槽；栅氧化层热生长并氮化退火；多晶硅栅淀积与刻蚀；阳极金属淀积；阴极金属淀积，短接阳极金属和多晶硅栅实现二极管的正常工作：反向时，N+源区与P型基区保护栅氧化层避免其过早击穿，同时保护沟道避免漏致势垒降低效应造成的大泄漏电流；导通状态下，沟道区域的低势垒使器件达到低的开启电压。通过引入沟道和利用N+源区与P型基区保护栅氧化层和沟道来实现导通损耗和反向特性的良好折中。在保证器件耐压和无双极退化效应的情况下，保持正向特性和开关特性优势，兼顾温度特性和浪涌电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 低导通压降 二极管 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010880553.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
