[发明专利]功率器件静电放电保护电路在审
| 申请号： | 202010869914.7 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111900159A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘崇志;张本义;钟健 | 申请（专利权）人： | 璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 罗恒兰 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率器件静电放电保护电路，在N型井、第二P型井增加了一个N+桥区，利用N+桥区的击穿特来降低第二P型井的触发点电压。在N型井设置第三P+区，提高器件的响应速度。在第二P型井中，N+桥区与第二N+型区之间有栅极，形成一个NMOS(N+桥区、第二N+型区分别作为源极与漏极，栅极的电压在N+桥区、第二N+型区之间表面形成的电子沟道，可以改善第二个NPN双极晶体管QN2的导通速度。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
