[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种三维存储器及其制造方法，该三维存储器包括：衬底；形成于所述衬底上的核心存储区和台阶区，所述核心存储区包括形成于所述衬底上的堆叠结构，所述台阶区包括由所述堆叠结构形成的台阶结构；贯穿所述核心存储区和台阶区的栅线；以及位于相邻两个所述栅线之间的沟槽，所述沟槽的长度小于所述栅线的长度。本发明的三维存储器中包括多个沟槽形成的支撑结构，可以避免由于深孔结构的缺陷所造成的支撑不足乃至于塌陷等问题。本发明的三维存储器的制造方法工艺简单，极大地降低了三维存储器中的更高深宽比的刻蚀难度，并且增大了后续工艺的工艺窗口。