[发明专利]一种氮化镓材料的外延结构及制备方法有效
| 申请号： | 202010860276.2 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN111739791B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 冯欢欢;唐军;周长健;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/20;H01L29/205 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 苗晓娟 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提供一种氮化镓材料的外延结构及制备方法，所述制备方法至少包括以下步骤：提供一碳化硅衬底，并对所述碳化硅衬底进行表面处理；在所述碳化硅衬底上生长铝涂层；在所述铝涂层上生长Al |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 材料 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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