[发明专利]一种聚酰亚胺刻蚀方法在审
| 申请号： | 202010857519.7 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN111968912A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 董子晗;林源为;孔宇威 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/67;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 施敬勃 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种聚酰亚胺刻蚀方法，包括S1、向反应腔室中通入刻蚀气体，使所述反应腔室的压力处于稳定状态；S2、同时开启上射频电极和下射频电极，电离所述刻蚀气体，对晶圆上的聚酰亚胺层进行第一预设工艺时间的刻蚀；S3、关闭所述上射频电极和所述下射频电极，停止通入所述刻蚀气体，向所述反应腔室中通入惰性气体；S4、重新开启所述下射频电极，电离所述惰性气体，对所述聚酰亚胺层进行第二预设工艺时间的刻蚀，同时释放所述晶圆边缘积累的电荷；S5、关闭所述下射频电极，停止通入所述惰性气体；循坏执行步骤S1～S5，直至循环次数达到预设的总循环次数。上述方案能够解决晶圆的良品率较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚酰亚胺 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
